Samsung показала новую архитектуру памяти для ИИ-чипов

Samsung Electronics показала концептуальную архитектуру zHBM, в которой высокоскоростную память размещают непосредственно над процессором для искусственного интеллекта. Разработку продемонстрировали на выставке Future of Memory and Storage 2026 в Калифорнии.

В современных AI-ускорителях блоки HBM обычно устанавливают рядом с графическим или специализированным процессором на общей подложке. В системе zHBM память и вычислительный чип должны быть объединены вертикально - вдоль оси Z.

Такая конструкция сокращает путь передачи данных между памятью и процессором. Это должно увеличить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление при работе больших моделей искусственного интеллекта.

По предварительным оценкам Samsung, zHBM может обеспечить примерно вчетверо большую пропускную способность по сравнению с HBM4. Целевой уровень энергопотребления составляет около четверти от показателя систем на базе HBM4.

Для производства такой памяти компания планирует использовать технологию соединения нескольких пластин wafer-to-wafer. Она должна обеспечить десятки тысяч каналов обмена данными между памятью и вычислительным блоком.

Samsung также показала концепцию zNAND-O - новую архитектуру NAND-памяти, ориентированную на системы искусственного интеллекта. Обе разработки пока представлены как концептуальные модели, а сроки их серийного производства компания не назвала.

Параллельно Samsung расширяет производство традиционной высокоскоростной памяти. В 2026 году компания начала коммерческие поставки HBM4 и передала крупным клиентам первые образцы HBM4E.

По материалам: The Korea Herald, Seoul Economic Daily, Samsung Electronics