ASML об'єднала TSMC, Samsung та Intel навколо нової технології ШІ-чипів

Нідерландська ASML заручилася підтримкою провідних виробників напівпровідників TSMC, Samsung Electronics та Intel для переходу на новий формат фотошаблонів, який має підвищити ефективність виробництва найскладніших чипів для штучного інтелекту. Галузь планує перейти від традиційних 6-дюймових до 12-дюймових фотошаблонів для нового покоління літографічних систем High NA EUV.

ASML і найбільший у світі контрактний виробник чипів TSMC оголосили про створення спільної галузевої ініціативи, до якої також долучаються інші ключові учасники напівпровідникового ринку. Bloomberg серед компаній, які підтримують перехід, називає Samsung та Intel.

Фотошаблон, або photomask, містить схему майбутнього чипа, яку літографічна машина переносить на кремнієву пластину. Напівпровідникова галузь десятиліттями використовує стандартний 6-дюймовий формат, однак він створює обмеження для нових систем High NA EUV, здатних друкувати значно дрібніші елементи.

Перехід на більші фотошаблони має дозволити виробникам повніше використовувати можливості High NA EUV, підвищити продуктивність обладнання, знизити собівартість передових чипів та позбутися частини технологічних обмежень при виготовленні великих процесорів.

Пілотну лінію планують запустити до 2031 року

ASML і TSMC планують створити пілотну виробничу лінію для 12-дюймових фотошаблонів до 2031 року. Повна готовність відповідних літографічних систем до виробництва передових чипів очікується до 2033 року.

До цього часу системи High NA EUV продовжать працювати з нинішніми фотошаблонами. Тобто перехід на більший формат має відбуватися поступово, не затримуючи впровадження самого нового покоління літографії.

TSMC заявила, що планує почати використовувати High NA EUV у масовому виробництві передових технологічних процесів з 2030 року. Компанія очікує, що зі зростанням складності транзисторів для ШІ-прискорювачів кількість виробничих шарів, для яких буде потрібна High NA EUV, збільшуватиметься.

Samsung планує застосувати High NA EUV для пам'яті

Samsung Electronics окремо підтвердила приєднання до ініціативи з розвитку 12-дюймових фотошаблонів. Південнокорейська компанія планує вперше в галузі запровадити High NA EUV у масове виробництво пам'яті DRAM до 2028 року.

Для Samsung технологія важлива одразу для двох ключових напрямів - виробництва пам'яті та контрактного випуску логічних процесорів. Компанія розраховує, що більші фотошаблони допоможуть знизити витрати на майбутні покоління високопродуктивних напівпровідників.

Intel, своєю чергою, випередила конкурентів у практичному використанні High NA EUV. У липні ASML повідомила, що Intel Foundry уже застосовує такі системи для окремих шарів процесорів Core Ultra на технології Intel 18A. Це стало першим випадком використання High NA EUV у серійному виробничому середовищі.

ШІ змушує виробників переглядати технології

Однією з головних причин переходу є швидке ускладнення чипів для дата-центрів та систем штучного інтелекту. Такі компанії, як Nvidia, Google та інші розробники прискорювачів, створюють дедалі більші процесори, наближаючись до фізичних обмежень нинішніх літографічних технологій.

High NA EUV є наступним поколінням технології екстремальної ультрафіолетової літографії ASML. Вона дозволяє формувати дрібніші елементи та розміщувати більше транзисторів на одному чипі, що особливо важливо для потужних ШІ-прискорювачів і серверних процесорів.

ASML фактично є безальтернативним постачальником найсучаснішого EUV-обладнання для світової напівпровідникової промисловості. Підтримка нового технологічного стандарту з боку TSMC, Samsung та Intel суттєво підвищує шанси на його широке використання у виробництві наступних поколінь чипів.

За матеріалами: Bloomberg, ASML і TSMC, Samsung Electronics