ASML объединила TSMC, Samsung и Intel вокруг новой технологии ИИ-чипов
Нидерландская ASML заручилась поддержкой ведущих производителей полупроводников TSMC, Samsung Electronics и Intel для перехода на новый формат фотошаблонов, который должен повысить эффективность производства самых сложных чипов для искусственного интеллекта. Отрасль планирует перейти от традиционных 6-дюймовых к 12-дюймовым фотошаблонам для нового поколения литографических систем High NA EUV.
ASML и крупнейший в мире контрактный производитель чипов TSMC объявили о создании совместной отраслевой инициативы, к которой также присоединяются другие ключевые участники полупроводникового рынка. Bloomberg среди компаний, которые поддерживают переход, называет Samsung и Intel.
Фотошаблон, или photomask, содержит схему будущего чипа, которую литографическая машина переносит на кремниевую пластину. Полупроводниковая отрасль десятилетиями использует стандартный 6-дюймовый формат, однако он создает ограничения для новых систем High NA EUV, способных печатать значительно более мелкие элементы.
Переход на большие фотошаблоны должен позволить производителям полнее использовать возможности High NA EUV, повысить производительность оборудования, снизить себестоимость передовых чипов и избавиться от части технологических ограничений при изготовлении больших процессоров.
Пилотную линию планируют запустить до 2031 года
ASML и TSMC планируют создать пилотную производственную линию для 12-дюймовых фотошаблонов до 2031 года. Полная готовность соответствующих литографических систем к производству передовых чипов ожидается до 2033 года.
До этого времени системы High NA EUV продолжат работать с нынешними фотошаблонами. То есть переход на больший формат должен происходить постепенно, не задерживая внедрение самого нового поколения литографии.
TSMC заявила, что планирует начать использовать High NA EUV в массовом производстве передовых технологических процессов с 2030 года. Компания ожидает, что с ростом сложности транзисторов для ИИ-ускорителей количество производственных слоев, для которых потребуется High NA EUV, будет увеличиваться.
Samsung планирует применить High NA EUV для памяти
Samsung Electronics отдельно подтвердила присоединение к инициативе по развитию 12-дюймовых фотошаблонов. Южнокорейская компания планирует впервые в отрасли внедрить High NA EUV в массовое производство памяти DRAM до 2028 года.
Для Samsung технология важна сразу для двух ключевых направлений - производства памяти и контрактного выпуска логических процессоров. Компания рассчитывает, что большие фотошаблоны помогут снизить затраты на будущие поколения высокопроизводительных полупроводников.
Intel, в свою очередь, опередила конкурентов в практическом использовании High NA EUV. В июле ASML сообщила, что Intel Foundry уже применяет такие системы для отдельных слоев процессоров Core Ultra на технологии Intel 18A. Это стало первым случаем использования High NA EUV в серийной производственной среде.
ИИ заставляет производителей пересматривать технологии
Одной из главных причин перехода является быстрое усложнение чипов для дата-центров и систем искусственного интеллекта. Такие компании, как Nvidia, Google и другие разработчики ускорителей, создают все более крупные процессоры, приближаясь к физическим ограничениям нынешних литографических технологий.
High NA EUV является следующим поколением технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии ASML. Она позволяет формировать более мелкие элементы и размещать больше транзисторов на одном чипе, что особенно важно для мощных ИИ-ускорителей и серверных процессоров.
ASML фактически является безальтернативным поставщиком самого современного EUV-оборудования для мировой полупроводниковой промышленности. Поддержка нового технологического стандарта со стороны TSMC, Samsung и Intel существенно повышает шансы на его широкое использование в производстве следующих поколений чипов.
По материалам: Bloomberg, ASML и TSMC, Samsung Electronics
